| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，具有：模焊盘(3)，由在表面形成第1焊锡接合层的金属构成；和半导体元件(5)，在该模焊盘(3)的第1焊锡接合层(11)上，由以铋为主成分的焊锡材料(9)固接而成。第1焊锡接合层(11)，由比焊锡材料(9)更软的材料构成；在第1焊锡接合层(11)的一部分中，形成由焊锡材料(9)被按压而成的凹陷部分(11a)，焊锡材料(9)的一部分，填充至凹陷部分(11a)。 | ||
| 申请公布号 | CN101790780A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN200980100250.X | 申请日期 | 2009.06.12 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 松尾隆广;古泽彰男;酒谷茂昭 |
| 分类号 | H01L21/52(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：模焊盘，由在表面形成第1焊锡接合层的金属构成；和半导体元件，由以铋为主要成分的焊锡材料固定在所述模焊盘的所述第1焊锡接合层上，所述第1焊锡接合层，由比所述焊锡材料更软的材料构成；在所述第1焊锡接合层的一部分中，形成由所述焊锡材料被按压而成的凹陷部分，所述焊锡材料的一部分填充至所述凹陷部分。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||