发明名称 |
一种可提高布图效率和集成度的器件版图 |
摘要 |
本发明提供一种可提高布图效率和集成度的器件版图。现有技术中通过隔开一定的距离来实现器件间的绝缘,存在着设计规则复杂和器件间绝缘距离较大导致集成度低等问题。本发明针对孤立的LDMOS设置环绕该孤立的LDMOS的漏极的第一隔离结构,针对多个并联连接的LDMOS设置环绕所有多个并联连接的LDMOS的漏极的第二隔离结构,该第一隔离结构和第二隔离结构的环径均为所环绕的LDMOS漏极中心至源极中心的距离。本发明无需再针对隔离结构设计单独的设计规则,简化了布图过程提高了布图效率,并且减小了LDMOS间的距离,提高了器件的集成度。 |
申请公布号 |
CN101789041A |
申请公布日期 |
2010.07.28 |
申请号 |
CN201010102424.0 |
申请日期 |
2010.01.28 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
刘正超 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种可提高布图效率和集成度的器件版图,该器件包括孤立的LDMOS,其特征在于,该器件版图包括环绕该孤立的LDMOS的漏极的第一隔离结构,该第一隔离结构的环径为所环绕的LDMOS漏极中心至源极中心的距离。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 |