发明名称 一种可提高布图效率和集成度的器件版图
摘要 本发明提供一种可提高布图效率和集成度的器件版图。现有技术中通过隔开一定的距离来实现器件间的绝缘,存在着设计规则复杂和器件间绝缘距离较大导致集成度低等问题。本发明针对孤立的LDMOS设置环绕该孤立的LDMOS的漏极的第一隔离结构,针对多个并联连接的LDMOS设置环绕所有多个并联连接的LDMOS的漏极的第二隔离结构,该第一隔离结构和第二隔离结构的环径均为所环绕的LDMOS漏极中心至源极中心的距离。本发明无需再针对隔离结构设计单独的设计规则,简化了布图过程提高了布图效率,并且减小了LDMOS间的距离,提高了器件的集成度。
申请公布号 CN101789041A 申请公布日期 2010.07.28
申请号 CN201010102424.0 申请日期 2010.01.28
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 刘正超
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种可提高布图效率和集成度的器件版图,该器件包括孤立的LDMOS,其特征在于,该器件版图包括环绕该孤立的LDMOS的漏极的第一隔离结构,该第一隔离结构的环径为所环绕的LDMOS漏极中心至源极中心的距离。
地址 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号