发明名称 高纯二氧化锰及其制备和锰酸锂正极材料及其制备方法
摘要 本发明属于电池正极材料及其制备领域,具体公开了一种纯β型、纯度在99.5%以上、中位粒径在5~25μm的高纯二氧化锰,其中杂质金属铜、铅、锌的含量均小于10ppm,钠、钾等的含量均小于50ppm,硫酸根的小于300ppm,其制备方法是先制得硝酸锰溶液,然后将其煅烧,再进行微细化粉碎,得到成品。本发明还公开了一种锰酸锂正极材料,其中钠、钾、钙、镁的含量均小于50ppm;铁、铜等的含量均小于10ppm,硫酸根小于500ppm,其制备是以高纯二氧化锰为锰源,然后将TiO2、NiO、Al2O3中的至少一种与锰源混匀,再与锂源混合使锂与非锂金属的原子摩尔比为(0.9~1.2)∶2,最后经焙烧、冷却、粉碎制得成品。本发明的方法成本低,易操作,制得的锰酸锂正极材料纯度高且能有效提高电池循环性能和比容量。
申请公布号 CN101786666A 申请公布日期 2010.07.28
申请号 CN201010107876.8 申请日期 2010.02.10
申请人 彭天剑 发明人 彭天剑
分类号 C01G45/02(2006.01)I;C01G45/12(2006.01)I;H01M4/58(2010.01)I 主分类号 C01G45/02(2006.01)I
代理机构 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人 杨斌
主权项 一种高纯二氧化锰,其特征在于:所述二氧化锰在晶体结构上为纯β型二氧化锰,所述二氧化锰的纯度在99.5%以上,所述二氧化锰的中位粒径在5~25μm之间;所述二氧化锰中杂质金属铜离子、铅离子、锌离子的含量均小于10ppm,所述二氧化锰中杂质金属钠离子、钾离子、钙离子、镁离子、铁离子的含量均小于50ppm,所述二氧化锰中硫酸根离子的含量小于300ppm。
地址 410016 湖南省长沙市雨花区人民东路46号铭诚国际大厦26楼