碳纳米管阵列发射元件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种碳纳米管阵列发射元件，其包括一阴极基底；及一位于该阴极基底上的碳纳米管阵列切片。该碳纳米管阵列切片包括大量基本相互平行的碳纳米管片段，该大量碳纳米管片段具有一第一端部及与该第一端部相对的第二端部，该第一端部作为发射端，且该发射端基本位于同一平面，该第二端部与阴极基底形成电连接。由于该碳纳米管阵列发射元件采用碳纳米管阵列切片，而非采用在阴极基底上通过CVD法直接生长的碳纳米管阵列，所述碳纳米管片段均两端开口。因此，阴极基底的选材可不受CVD法生长碳纳米管阵列的温度限制；进而使得该阴极基底的材料选择范围较广。且其可具场发射均匀性好及碳纳米管利用效率高等特点。本发明还提供该碳纳米管阵列发射元件的制作方法。

主权项

一种碳纳米管阵列发射元件，其包括：一阴极基底；及一位于该阴极基底上的碳纳米管阵列切片，其包括大量基本相互平行的碳纳米管片段，该大量碳纳米管片段具有一第一端部及与该第一端部相对的第二端部，该第一端部作为发射端，且该发射端基本位于同一平面，该第二端部与阴极基底形成电连接，所述碳纳米管片段均两端开口。