| 发明名称 | 多层膜的形成方法、显示面板的制造方法及显示面板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多层膜的形成方法、显示面板的制造方法及显示面板。多层膜的形成方法包括：在基板上形成第一导电层的工序；在上述第一导电层上形成第一绝缘层的工序；在上述第一绝缘层上形成第二导电层，并对上述形成的第二导电层进行构图的工序；在上述基板上形成第二绝缘层以覆盖被构图的上述第二导电层的工序；在上述第二绝缘层上形成蚀刻速度比该第二绝缘层快的第三绝缘层的工序；及对上述第一绝缘层、上述第二绝缘层及上述第三绝缘层一起形成使上述第一导电层的至少一部分露出的接触孔的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101789402A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN201010104066.7 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 田中良孝;近森博之 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈萍 |
| 主权项 | 一种多层膜的形成方法，包括：在基板上形成第一导电层的工序；在上述第一导电层上形成第一绝缘层的工序；在上述第一绝缘层上形成第二导电层，并对上述形成的第二导电层进行构图的工序；在上述基板上形成第二绝缘层以覆盖被构图的上述第二导电层的工序；在上述第二绝缘层上形成蚀刻速度比该第二绝缘层快的第三绝缘层的工序；及对上述第一绝缘层、上述第二绝缘层及上述第三绝缘层一起形成使上述第一导电层的至少一部分露出的接触孔的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||