MAGNETIC MEMORY ELEMENT HAVING CONTROLLED NUCLEATION SITE IN DATA LAYER,申请号KR20030038615-传众专利搜索

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发明名称	MAGNETIC MEMORY ELEMENT HAVING CONTROLLED NUCLEATION SITE IN DATA LAYER
摘要
申请公布号	KR100972631(B1)	申请公布日期	2010.07.28
申请号	KR20030038615	申请日期	2003.06.16
申请人		发明人
分类号	G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08	主分类号	G11C11/15
代理机构		代理人
主权项
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