| 发明名称 | 一种多孔超低介电常数材料薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种多孔超低介电常数薄膜材料及其制备方法。本发明的制备过程采用溶胶-凝胶工艺，以有机硅氧烷为前驱体，通过控制前驱体、成孔剂、催化剂和溶剂的比例、溶液的浓度，以及合成、后处理及退火温度等条件，制备了一种超低介电常数多孔薄膜材料。该工艺过程简单，所制备的薄膜中含有有序纳米孔，薄膜表面均匀，粗糙度低，并且热稳定性好，介电常数为1.9-2.0，在1MV/cm时漏电流密度在10-8～10-9A/cm2数量级。 | ||
| 申请公布号 | CN101789418A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN201010121881.4 | 申请日期 | 2010.03.11 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 付爽;丁士进;张卫 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种多孔低介电常数材料薄膜，其特征在于该薄膜以甲基三乙氧基硅烷和1，2-二(三乙氧基硅基)乙烷的混合物为前躯体，采用溶胶、凝胶法制备获得，该薄膜热稳定性高达500℃，并且含有有序纳米孔，介电常数为1.9-2.0。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||