相变存储器单元结构、相变存储器单元及其形成方法

摘要

一种PCM单元结构，其包括第一电极、相变元件和第二电极，其中该相变元件被插入第一电极与第二电极之间，并且只有第一电极和第二电极之一的周界边沿与相变元件接触，从而减少相变元件与电极之一的接触面积，从而增加了经过相变元件的电流密度并且有效地以第一编程功率引起相变。

主权项

一种相变存储器单元结构，其包括：电介质层(120)，其中具有导电通路(130)，所述电介质层(120)具有中间的顶表面和周围的下凹表面，该顶表面是平坦的并且水平延伸，该下凹表面在所述顶表面之下的一定深度处并且从所述中间的顶表面向旁边延伸，在所述顶表面和所述下凹表面之间延伸第一垂直侧壁，其中所述导电通路(130)的顶表面达到所述电介质层(120)的顶表面；以及薄膜下电极(160E)，其是平面的，形成在所述中间的顶表面上，并且与所述导电通路的顶表面接触，所述薄膜下电极(160E)具有周界(160P)；绝缘掩模盖(141)，其形成在所述中间的顶表面之上的所述薄膜下电极(160E)之上，其具有与薄膜下电极对齐的周界，并且具有与所述第一垂直侧壁对准的第二垂直侧壁；相变元件(170E)，其形成在所述绝缘掩模盖(141)的上表面之上以及在所述第一垂直侧壁和所述第二垂直侧壁之上，其中所述薄膜下电极的周界(160P)与所述相变元件的垂直表面的内侧壁相接触；以及上电极，其形成在所述相变元件之上；其中所述相变元件电连接到所述薄膜下电极的周界的至少一部分。