发明名称 |
一种助熔剂生长法中顶部籽晶重入技术 |
摘要 |
一种助熔剂生长法中顶部籽晶重入技术,属于功能晶体材料技术领域。其特征在于,将加工好的籽晶在高于晶体生长熔液饱和点温度3-5℃的条件下,下入晶体生长熔液;将晶体生长熔液降温至饱和点温度以后,以0.5℃/天的降温速率生长5-7天,生长出具有规则外形的小晶体,然后把小晶体向上提高2-4毫米,但不离开晶体生长熔液液面;将得到的具有规则外形的小晶体作为籽晶,重新下入晶体生长熔液,开始新的生长过程,直至生长出符合要求的晶体;晶体生长结束后,将晶体提离液面,然后以4℃/h的速率降温,当降到200℃时,让其自然冷却至室温。本方法制备的晶体具有工艺简单,周期短和稳定性好的特点,所生长晶体的籽晶恢复区小、光学质量高。 |
申请公布号 |
CN101363131B |
申请公布日期 |
2010.07.28 |
申请号 |
CN200810139859.5 |
申请日期 |
2008.09.19 |
申请人 |
山东大学 |
发明人 |
王继扬;李静;张建秀 |
分类号 |
C30B15/00(2006.01)I;C30B9/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/00(2006.01)I |
代理机构 |
济南金迪知识产权代理有限公司 37219 |
代理人 |
王绪银 |
主权项 |
一种助熔剂生长法中顶部籽晶重入方法,将按摩尔比配置的原料放置到白金坩埚中,在1020℃-1060℃的温度下熔化10小时,并且保温两天,使原料充分熔化,搅拌12h,使熔液充分熔化并混合均匀;其特征在于,方法如下:1)将加工好的籽晶在高于晶体生长熔液饱和点温度3-5℃的条件下,下入晶体生长熔液;2)将晶体生长熔液降温至饱和点温度以后,以0.5℃/天的降温速率生长5-7天,生长出具有规则外形的小晶体,然后把小晶体向上提高2-4毫米,但不离开晶体生长熔液液面;3)将步骤2)得到的具有规则外形的小晶体作为籽晶,重新下入晶体生长熔液,开始新的生长过程,直至生长出符合要求的晶体;4)晶体生长结束后,将晶体提离液面,然后以4℃/h的速率降温,当降到200℃时,让其自然冷却至室温。 |
地址 |
250100 山东省济南市历城区山大南路27号 |