一种可提高MOS管击穿电压的第一层金属

摘要

本发明提供一种可提高MOS管击穿电压的第一层金属。现有技术中与栅极连接的第一层金属仅包括栅极覆盖范围内且与金属插塞连接的第一单元，无法通过扩大0V电势的范围且将高电场尽可能的推向漏极，从而导致MOS管击穿电压较低。本发明的可提高MOS管击穿电压的第一层金属包括相互连接且分别位于栅极覆盖范围内外的第一单元和第二单元，所述第二单元位于栅极外靠近漏极的一侧。本发明可有效扩大0V电势的范围，并将高电场尽可能的推向漏极，使电场分布变得更加均匀，如此可有效提高MOS管的击穿电压。

主权项

一种可提高MOS管击穿电压的第一层金属，制作在介质层上且通过设置在其中的金属插塞与栅极连接，该第一层金属包括栅极覆盖范围内且与金属插塞连接的第一单元，其特征在于，该第一层金属还包括栅极覆盖范围外且位于靠近漏极一侧的第二单元，该第二单元与第一单元连接。