发明名称 | 多元件封装中的互连 | ||
摘要 | 一种封装半导体器件(10)包括:在聚合物层(30)的第一侧上的互连层(32);至少在三个侧面上被聚合物层围绕并且耦合到所述互连层的半导体器件(16,18);在所述聚合物层的第二侧上的第一导电元件(46,58),其中第二侧与第一侧相对;以及在所述聚合物层内的连接器块(20)。该连接器块(20)具有从所述连接器块的第一表面延伸到所述连接器块的第二表面的至少一个电路径(22,24,26,62,64)。所述至少一个电路径将所述互连层电耦合到所述第一导电元件。还描述了一种用于形成该封装半导体器件的方法。 | ||
申请公布号 | CN101790788A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
申请号 | CN200880104602.4 | 申请日期 | 2008.07.09 |
申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 唐金榜;D·R·福莱亚;W·H·莱特尔 |
分类号 | H01L25/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/04(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
主权项 | 一种封装半导体器件,包括:在聚合物层的第一侧上的互连层;至少在三个侧面上被所述聚合物层围绕并且耦合到所述互连层的半导体器件;在所述聚合物层的第二侧上的第一导电元件,其中所述第二侧与所述第一侧相对;以及在所述聚合物层内的连接器块,所述连接器块具有从所述连接器块的第一表面延伸到所述连接器块的第二表面的至少一个电路径,并且通过所述至少一个电路径将所述互连层电耦合到所述第一导电元件。 | ||
地址 | 美国得克萨斯 |