| 发明名称 | 半导体元器件的离子注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明中公开了一种半导体元器件的离子注入方法，该方法包括：在需要进行离子注入的多晶硅层表面形成一层保护层；对具有保护层的多晶硅层进行离子注入；在完成离子注入后，去除上述保护层。通过使用上述的离子注入方法，可使得所注入的离子在多晶硅层中的分布比较均匀，避免穿通现象，从而可取得较好的掺杂效果，提高半导体元器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101789364A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN200910045826.9 | 申请日期 | 2009.01.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何有丰;唐兆云 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种半导体元器件的离子注入方法，其特征在于，该方法包括：在需要进行离子注入的多晶硅层表面形成一层保护层；对具有保护层的多晶硅层进行离子注入；在完成离子注入后，去除上述保护层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||