发明名称 |
薄膜晶体管及制造富硅沟道层的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管,适于配置于基板上,此薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、富硅沟道层、源极与漏极。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于基板上以覆盖栅极。富硅沟道层配置于栅极上方,其中富硅沟道层的材料选自于由富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳化硅与富硅碳氧化硅所组成的族群,且该富硅沟道层的膜层深度在10纳米(nanometers,nm)至170nm中的硅含量介于1E23atoms/cm3至4E23atoms/cm3之间。源极与漏极分别与富硅沟道层连接。本发明实施例的薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率与稳定性,此外,本发明实施例的薄膜晶体管可使用较低的工艺温度,具有广泛的应用范围。 |
申请公布号 |
CN101789450A |
申请公布日期 |
2010.07.28 |
申请号 |
CN201010106352.7 |
申请日期 |
2010.01.26 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
卓恩宗;刘婉懿;陈佳楷;林武雄;陈俊雄;黄伟明 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,其特征在于,所述的薄膜晶体管适于配置于一基板上,所述薄膜晶体管包括:一栅极,配置于所述基板上;一栅绝缘层,配置于所述基板上以覆盖所述栅极;一富硅沟道层,配置于所述栅极上方,其中所述富硅沟道层的材料选自于由富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳化硅与富硅碳氧化硅所组成的族群,且所述富硅沟道层中的硅含量介于1E23atoms/cm3至4E23atoms/cm3之间;以及一源极与一漏极,分别与所述富硅沟道层连接。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |