| 发明名称 | 发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光器件，包括：第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的非导电半导体层，所述非导电半导体层包括光提取结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101790801A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN200880104504.0 | 申请日期 | 2008.08.26 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 金鲜京;曹贤敬 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的非导电半导体层，所述非导电半导体层包括光提取结构。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||