半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，其包括半导体膜、栅极绝缘膜、栅电极、绝缘膜、以及源电极及漏电极。所述半导体膜至少具有沟道形成区域、区域、位于所述沟道形成区域和所述区域之间的源区及漏区、在所述区域上的第一硅化物区域、以及在所述源区及漏区的一部分上的第二硅化物区域。所述绝缘膜具有接触孔，以至少使所述第一硅化物区域露出。所述源电极及漏电极分别通过所述接触孔电连接到所述第一硅化物区域。所述区域以低于所述源区及漏区的浓度具有赋予一导电型的元素。

主权项

一种半导体器件，包括：在衬底上的半导体膜，其中所述半导体膜至少包括沟道形成区域、第一区域、位于所述沟道形成区域和所述第一区域之间的源区及漏区、在所述第一区域上的第一硅化物区域、以及在所述源区及漏区的一部分上的第二硅化物区域；在所述沟道形成区域上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上的栅电极；在所述栅极绝缘膜和所述栅电极上的绝缘膜，其中所述绝缘膜具有接触孔，以至少使所述第一硅化物区域露出；以及在所述绝缘膜上的源电极及漏电极，其中所述源电极及漏电极分别通过所述接触孔电连接到所述第一硅化物区域，其中，所述第一区域以低于所述源区及漏区的浓度具有赋予一导电型的元素。