具有高偏振转换特性的半导体激光器件

摘要

本发明涉及半导体发光器件领域，公开了一种具有高偏振转换特性的半导体激光器件，包括衬底(1)、沉积于衬底(1)上的半导体外延叠层及设于半导体外延叠层表面的出射端面(8)，该半导体外延叠层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)，第二导电包覆层(4)上端设置有上电极(6)，衬底(1)底部设置有下电极(7)，出射端面(8)上设置有光子晶体层(9)，该光子晶体层(9)与出射端面(8)具有倾斜角度。本发明具有高效偏振转换特性，透光率高及结构简单等优点。

主权项

一种具有高偏振转换特性的半导体激光器件，包括衬底(1)、沉积于衬底(1)上的半导体外延叠层及设于半导体外延叠层表面的出射端面(8)，该半导体外延叠层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)，第二导电包覆层(4)上端设置有上电极(6)，衬底(1)底部设置有下电极(7)，其特征在于：出射端面(8)上设置有光子晶体层(9)，该光子晶体层(9)与出射端面(8)具有倾斜角度，该光子晶体层(9)所在平面的法线与激光谐振腔方向成一夹角θ，其中，0＜θ＜90°，沿着激光谐振腔方向的矢量在光子晶体层(9)所在平面的投影与光子晶体层(9)的晶向的夹角φ不能为零。