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发明名称 Method for forming a ultra shallow junction in semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100972706(B1) 申请公布日期 2010.07.27
申请号 KR20030043687 申请日期 2003.06.30
申请人 发明人
分类号 H01L21/324 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人
主权项
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