发明名称 |
CRISOL MEJORADO PARA LA CRISTALIZACION DE SILICIO. |
摘要 |
Crisol (1) para la cristalización de silicio que comprende a) un cuerpo base (2) que comprende una superficie inferior (21) y paredes laterales (22) que definen un volumen interior; b) una capa de sustrato (25) que comprende entre el 80% y el 100% en peso de nitruro de silicio en la superficie de las paredes laterales (22) que miran hacia el volumen interior; c) una capa intermedia (3) que comprende entre el 50% y el 100% en peso de sílice sobre la capa de sustrato (25); y d) una capa superficial (4) que comprende entre el 50% y el 100% en peso de nitruro de silicio, hasta el 50% en peso de dióxido de silicio y hasta el 20% en peso de silicio sobre la capa intermedia. |
申请公布号 |
ES2343203(T3) |
申请公布日期 |
2010.07.26 |
申请号 |
ES20060776097T |
申请日期 |
2006.06.30 |
申请人 |
VESUVIUS CRUCIBLE COMPANY |
发明人 |
RANCOULE, GILBERT |
分类号 |
C30B11/00;C30B15/10;C30B35/00 |
主分类号 |
C30B11/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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