发明名称 Röntgenstrahlungsdetektor zur Verwendung in einem CT-System
摘要 Die Erfindung betrifft einen Röntgenstrahlungsdetektor, insbesondere zur Verwendung in einem CT-System, aufweisend ein zur Detektion verwendetes Halbleitermaterial, mindestens zwei ohmsche Kontakte zwischen dem Halbleitermaterial und einem Kontaktmaterial, wobei das Halbleitermaterial und das Kontaktmaterial jeweils eine spezifische Anregungsenergie (Φ, Φ) der Ladungsträger aufweisen. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Anregungsenergie des Kontaktmaterials (Φ) der Anregungsenergie des Halbleitermaterials (Φ) entspricht. Weiterhin betrifft die Erfindung ein CT-System, in welchem ein Röntgenstrahlungsdetektor, welcher vorteilhafterweise mindestens zwei erfindungsgemäße ideale ohmsche Kontakte aufweist, verwendet wird.
申请公布号 DE102009018877(A1) 申请公布日期 2010.07.22
申请号 DE200910018877 申请日期 2009.04.24
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 HACKENSCHMIED, PETER;SCHROETER, CHRISTIAN;STRASSBURG, MATTHIAS
分类号 G01T1/24;G01T1/29 主分类号 G01T1/24
代理机构 代理人
主权项
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