SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A METAL GATE ELECTRODE FORMED ON AN ANNEALED HIGH-? GATE DIELECTRIC LAYER,申请号KR20087004979-传众专利搜索

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发明名称	SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A METAL GATE ELECTRODE FORMED ON AN ANNEALED HIGH-? GATE DIELECTRIC LAYER
摘要
申请公布号	KR100971803(B1)	申请公布日期	2010.07.22
申请号	KR20087004979	申请日期	2006.08.03
申请人		发明人
分类号	H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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