| 摘要 |
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer zur Emission von Strahlung geeigneten aktiven Schicht (4) angegeben, bei dem die aktive Schicht ein Indium-enthaltendes Nitridverbindungshalbleitermaterial aufweist, wobei das Nitridverbins zusätzliches Element der V. Hauptgruppe mindestens eines der Elemente As, Sb oder Bi enthält. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer zur Emission von Strahlung geeigneten aktiven Schicht (4), die von Mantelschichten (3a, 3b) umgeben ist, angegeben, bei dem die Mantelschichten (3a, 3b) und/oder die aktive Schicht (4) ein Indium-enthaltendes Phosphidverbindungshalbleitermaterial aufweisen und das Phosphidverbindungshalbleitermaterial als zusätzliches Element der V. Hauptgruppe mindestens eines der Elemente Sb oder Bi enthält. |
