Eine Halbleiterdiode mit integriertem Widerstand besitzt einen Halbleiterkörper mit einer vorderseitigen Fläche und einer rückseitigen Fläche und eine Diodenstruktur mit einer Anodenelektrode und einer Kathodenelektrode. Eine auf der rückseitigen Fläche des Halbleiterkörpers angeordnete Widerstandsschicht stellt den integrierten Widerstand bereit.
