气相环蚀刻装置

摘要

本创作系一种气相环蚀刻装置，包括一外环机台及一工作机台，该外环机台具有一内部空间，其顶部形成一开口，该开口系连通于该内部空间；该工作机台系设置于该外环机台的内部空间且呈柱状，使得该工作机台以及该外环机台之间形成一气体通道，而该工作机台之顶部具有一工作平台，该工作平台系设置于该外环机台之开口之中，且该工作平台之边缘与该外环机台之开口内壁间隔有一环形间隙，与该气体通道连通，且该工作平台之顶部边缘设有一环形衬垫。藉由本创作，待处理晶圆背面倾斜部上的二氧化矽层能够精准地移除，而提高晶圆品质。

主权项

1.一种气相环蚀刻装置，包括：一外环机台，其内部具有一内部空间，其顶部形成一开口，该开口系连通于该内部空间；一工作机台，其系设置于该外环机台的内部空间且呈柱状，使得该工作机台以及该外环机台之间形成一气体通道，而该工作机台之顶部具有一工作平台，该工作平台系设置于该外环机台之开口之中，且该工作平台之边缘与该外环机台之开口内壁间隔有一环形间隙，该环形间隙系与该气体通道连通，且该工作平台之顶部边缘设有一环形衬垫。 ;2.如申请专利范围第1项所述之气相环蚀刻装置，其尚包含连通于该外环机台之气体通道的一腐蚀气体通入装置。 ;3.如申请专利范围第1或2项所述之气相环蚀刻装置，其尚包含一箱体，该箱体底部设置有该外环机台以及该工作机台。 ;4.如申请专利范围第3项所述之气相环蚀刻装置，其中该箱体设有一处理空间，以使得该工作机台之工作平台暴露于该处理空间，且该处理空间系连通于该环形间隙以及该气体通道，该箱体之一侧边设有以门封闭之一晶圆放置开口，且其系连通于该处理空间。 ;5.如申请专利范围第3项所述之气相环蚀刻装置，其尚包含一腐蚀气体抽出装置，其系连接于该箱体，并连通于该箱体之处理空间。 ;6.如申请专利范围第4项所述之气相环蚀刻装置，其尚包含一腐蚀气体抽出装置，其系连接于该箱体，并连通于该箱体之处理空间。 ;7.如申请专利范围第5项所述之气相环蚀刻装置，其中该腐蚀气体抽出装置系连接于该箱体之顶部。 ;8.如申请专利范围第6项所述之气相环蚀刻装置，其中该腐蚀气体抽出装置系连接于该箱体之顶部。;第一图系本创作之立体图。;第二图系本创作之部分立体图。;第三图系本创作外环机台和工作机台之剖视图。;第四图系本创作外环机台和工作机台于操作状态之侧面剖视图。;第五图系一般待处理晶圆的侧面剖视图。;第六图系理想晶圆的侧面剖视图。;第七图系既有去除二氧化矽层之操作状态的示意图。