发明名称 聚醯亚胺复合软板及其制法;POLYIMIDE COMPOSITE FLEXIBLE BOARD AND ITS PREPARATION
摘要 本发明有关一种聚醯亚胺树脂复合软板以及其制造方法,该方法系将环化后具有热膨胀系数(CTE)大于20 ppm之聚醯胺酸及热膨胀系数小于20 ppm之聚醯胺酸依序涂布于金属箔上,接着藉加热使聚醯胺酸环化形成聚醯亚胺,获得印刷电路板用之聚醯亚胺树脂复合软板。;依据本发明方法,不需使用黏着剂,而可获得黏着性优异的机械性质、高耐热性、尺寸安定性而无翘曲之聚醯亚胺复合软板。
申请公布号 TWI327520 申请公布日期 2010.07.21
申请号 TW095140737 申请日期 2006.11.03
申请人 长春人造树脂厂股份有限公司 CHANG CHUN PLASTICS CO., LTD. 台北市中山区松江路301号7楼 发明人 黄坤源;杜安邦;巫胜彦;林德裕
分类号 主分类号
代理机构 代理人 谢秉原 台北市中正区重庆南路1段10号台企大楼4楼406室
主权项 1.一种聚醯亚胺复合软板,其系由金属箔、具有热膨胀系数(CTE)大于20 ppm之第一聚醯亚胺薄膜以及具有热膨胀系数(CTE)小于20 ppm之第二聚醯亚胺薄膜依序积层者;其中具有热膨胀系数(CTE)大于20 ppm之第一聚醯亚胺系由含苯环之二胺单体及含苯环之二酸酐单体与其他二胺单体及其他二酸酐单体反应并环化而得,其条件为总二胺单体/总二酸酐单体莫耳比在0.5~2.0的范围且含苯环之二胺单体/其他二胺单体莫耳比为60/40~20/80之范围;及含苯环之二酸酐单体/其他二酸酐单体莫耳比为40/60~20/80之范围;且具有热膨胀系数(CTE)小于20 ppm之第二聚醯亚胺系由含苯环之二胺单体及含苯环之二酸酐单体与其他二胺单体及其他二酸酐单体反应并环化而得,其条件为总二胺单体/总二酸酐单体莫耳比在0.5~2.0的范围且含苯环之二胺单体/其他二胺单体莫耳比为95/5~80/20之范围;及含苯环之二酸酐单体/其他二酸酐单体莫耳比为80/20~60/40之范围;及其中该二胺系由下式(I)表示之二胺:H2N-R1-NH2 (I)[其中R1为一共价键、伸苯基、-Ph-X-Ph-之基(其中X代表共价键、可经卤素取代之C1-4伸烷基、-O-苯基-O、-O-、-CO-、-S-、-SO-或-SO2-基)、C2-14脂族烃基、C4-30脂环烃基、C6-30芳族烃基、-Ph-O-R2-O-Ph-基(其中R2代表伸苯基或-Ph-X-Ph-之基且X代表共价键、可经卤素取代之C1-4伸烷基、-O-苯基-O、-O-、-CO-、-S-、-SO-或-SO2-基)];且该二酸酐为下式(II)表示之二酸酐:[其中Y代表含2至12个碳原子之脂族基、含4至8个碳原子之环脂族基、C6-14单环或多环芳族基、-Ph-X-Ph-之基(其中X代表共价键、可经卤素取代之C1-4伸烷基、-O-苯基-O-、-O-、-CO-、-S-、-SO-或-SO2-基)];且该第一聚醯亚胺薄膜及第二聚醯亚胺薄膜之厚度分别满足下列条件: ;2.如申请专利范围第1项之聚醯亚胺复合软板,其中该金属箔厚度为12微米至70微米之范围。 ;3.如申请专利范围第2项之聚醯亚胺复合软板,其中该金属箔为铜箔。 ;4.如申请专利范围第1项之聚醯亚胺复合软板,其中该聚醯亚胺复合软板又可与一金属箔压合。 ;5.如申请专利范围第1项之聚醯亚胺复合软板,其中该聚醯亚胺复合软板又可与第二聚醯亚胺复合软板以聚醯亚胺层彼此相对向压合,其中该第二聚醯亚胺复合软板与该聚醯亚胺复合软板相同或不同。 ;6.一种制造聚醯亚胺复合软板之方法,包括下列步骤:(a)使环化后具有CTE值大于20ppm之第一聚醯胺酸树脂均匀涂布于金属箔上,在烘箱中以90~140℃烘烤接着在150~200℃烘烤而去除溶剂;(b)将已去除溶剂之经涂布聚醯胺酸之金属箔取出,接着于第一聚醯胺酸涂层上涂布环化后具有CTE值小于20ppm之第二聚醯胺酸树脂,随后在烘箱中以90~140℃烘烤接着在150~200℃烘烤而去除溶剂;(c)接着将所得具有二层聚醯胺酸涂层之金属箔放入氮气烘箱中,依序于160~190℃之温度、190~240℃之温度、270~320℃之温度以及330~370℃之温度加热,使聚醯胺酸进行聚醯亚胺化(环化)反应,制成聚醯亚胺软性复合软板;其中环化后具有CTE值大于20ppm之第一聚醯胺酸树脂系由含苯环之二胺单体及含苯环之二酸酐单体与其他二胺单体及其他二酸酐单体反应而得,其条件为总二胺单体/总二酸酐单体莫耳比在0.5~2.0的范围且含苯环之二胺单体/其他二胺单体莫耳比为60/40~20/80之范围;及含苯环之二酸酐单体/其他二酸酐单体莫耳比为40/60~20/80之范围;且环化后具有CTE值小于20ppm之第二聚醯胺酸树脂系由含苯环之二胺单体及含苯环之二酸酐单体与其他二胺单体及其他二酸酐单体反应而得,其条件为总二胺单体/总二酸酐单体莫耳比在0.5~2.0的范围且含苯环之二胺单体/其他二胺单体莫耳比为95/5~80/20之范围;及含苯环之二酸酐单体/其他二酸酐单体莫耳比为80/20~60/40之范围;及该二胺系由下式(I)表示之二胺:H2N-R1-NH2 (I)[其中R1为一共价键、伸苯基、-Ph-X-Ph-之基(其中X代表共价键、可经卤素取代之C1-4伸烷基、-O-苯基-O、-O-、-CO-、-S-、-SO-或-SO2-基)、C2-14脂族烃基、C4-30脂环烃基、C6-30芳族烃基、-Ph-O-R2-O-Ph-基(其中R2代表伸苯基或-Ph-X-Ph-之基且X代表共价键、可经卤素取代之C1-4伸烷基、-O-苯基-O、-O-、-CO-、-S-、-SO-或-SO2-基)];且该二酸酐为下式(II)表示之二酸酐:[其中Y代表含2至12个碳原子之脂族基、含4至8个碳原子之环脂族基、C6-14单环或多环芳族基、-Ph-X-Ph-之基(其中X代表共价键、可经卤素取代之C1-4伸烷基、-O-苯基-O-、-O-、-CO-、-S-、-SO-或-SO2-基)];且该第一聚醯亚胺薄膜及第二聚醯亚胺薄膜之厚度分别满足下列条件: ;7.如申请专利范围第6项之方法,其中该金属箔厚度为12微米至70微米之范围。 ;8.如申请专利范围第7项之方法,其中该金属箔为铜箔。;第1图为一般双面金属箔的软性印刷电路板压合金属箔之商业化生产流程步骤;第2图为实施本发明之制造方法所用之涂布设备概视图;第3图为实施本发明之制造方法所用之环化设备概视图;及第4图为实施本发明之制造方法所用之压合设备概视图。
地址 CHANG CHUN PLASTICS CO., LTD. 台北市中山区松江路301号7楼