多孔性抛光垫、其用途及制备多孔性抛光垫的方法;POROUS POLISHING PADS, USE THEREOF AND METHODS OF PREPARING POROUS POLISHING PADS

摘要

一种用来抛光半导体基材的多孔性抛光垫。该多孔性抛;光垫具有多孔性基质，其系由经聚集之聚胺基甲酸酯及非;纤维抛光层所形成。该非纤维抛光层具有一个每平方毫米;之孔数至少500孔的抛光表面，其随抛光层的移除而减少；;并且该抛光表面具有表面粗糙度Ra在0.01及3微米之间。

主权项

1.一种用来抛光半导体基材的多孔性抛光垫，该多孔性抛光垫具有由经聚集之聚胺基甲酸酯及非纤维抛光层所形成的多孔性基质，该非纤维抛光层具有每平方毫米之孔数至少500孔的抛光表面，该孔数随抛光层的移除而减少，并且该抛光表面具有表面粗糙度Ra在0.01及3微米之间。 ;2.如申请专利范围第1项的多孔性抛光垫，其中该孔数是每平方毫米500至10,000孔。 ;3.如申请专利范围第2项的多孔性抛光垫，其中该表面粗糙度Ra是在0.1及2微米之间。 ;4.如申请专利范围第1项的多孔性抛光垫，其中该多孔性结构是聚醚胺基甲酸酯聚合物与聚氯乙烯。 ;5.一种制备由经聚集聚胺基甲酸酯所形成之多孔性抛光垫的方法，该多孔性抛光垫被用来抛光半导体基材，包含：将该多孔性抛光垫支撑在平台上，该多孔性抛光垫具有上表面，及在该上表面以下减少的每平方毫米之孔数；对顶部多孔层的上表面加上切割工具；及以该切割工具移除上表面，以提供非纤维抛光层的抛光表面，该抛光表面具有表面粗糙度Ra在0.01及3微米之间，并且具有每平方毫米之孔数至少500孔，该孔数随抛光层的移除而减少。 ;6.如申请专利范围第5项的方法，其中该对上表面加上切割工具之步骤，包括将钻石调整头压在上表面上，以提供具表面粗糙度Ra在0.1及2微米之间的抛光层。 ;7.如申请专利范围第5项的方法，其中该移除上表面之步骤提供该抛光层具有孔数是每平方毫米500至10,000孔之抛光表面。 ;8.一种抛光成型之(patterned)半导体基材的方法，包括的步骤为：以多孔性抛光垫抛光半导体基材，该多孔性抛光垫具有由经聚集之聚胺基甲酸酯及非纤维抛光层所形成的多孔性基质，该非纤维抛光层具有每平方毫米之孔数至少500孔、及表面粗糙度Ra在0.01及3微米之间的抛光表面。 ;9.如申请专利范围第8项的方法，其中该多孔性抛光垫具有在抛光层下方减少的每平方毫米孔数，并且包括对至少50个成型晶圆维持抛光表面具有每平方毫米至少500孔孔数的额外步骤。 ;10.如申请专利范围第8项的方法，包括以聚合刷或聚合垫调整该多孔性抛光垫的额外步骤。;图1为一个多孔性塑胶抛光垫的图示剖面图，说明习知技艺中、顶层磨光的距离D1，以确保在该垫之抛光表面上的相对大孔洞尺寸；图2为一个多孔性塑胶抛光垫的图示剖面图，该抛光垫被安置在一个抛光装置的平台上，并且具有一个与抛光垫表面接触的切割工具；图3为图2之多孔性塑胶抛光垫的图示剖面图，说明本发明的方法，其中在其抛光基材之前，抛光垫的顶层在平台上从其原始表面被磨光距离D2；及图4为说明以本发明抛光垫所达成之表面粗糙度上的长条图。