发明名称 高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法
摘要 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其作法是:a、无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x 0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按,并溶解在N,N-二甲基甲酰胺中,形成无水溶液。b、胶体制备:在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸。c、胶体涂敷与干燥:将b步制得的胶体涂覆在基片上并干燥。d、烧结成相:将干燥后的基片放入烧结炉中,将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃,保温0.25-2小时,随后将炉温缓慢降至室温。该法制作工艺简单,操作控制容易,成本低,不污染环境;制得的氧化铈单层缓冲层的厚度可达到150-200nm。
申请公布号 CN101281805B 申请公布日期 2010.07.21
申请号 CN200810044628.6 申请日期 2008.06.04
申请人 西南交通大学 发明人 赵勇;张红;雷鸣;李果;蒲明华;程华
分类号 H01B12/00(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I 主分类号 H01B12/00(2006.01)I
代理机构 成都博通专利事务所 51208 代理人 陈树明
主权项 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其具体作法是:a、无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x,0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈,并溶解在有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺中,形成无水溶液;其中的稀土为钇(Y)、镧(La)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)中的一种;b、胶体制备:在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸形成胶体;c、胶体涂敷与干燥:将b步制得的胶体涂覆在基片上,并干燥;d、烧结成相:将干燥后的基片放入烧结炉中,将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃,保温0.25-2小时,随后将炉温以1-2℃/min的速率降至室温,即得。
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