| 发明名称 | 内部谐波频率降低的RF功率晶体管封装以及形成内部谐波频率降低的RF功率晶体管封装的方法 | ||
| 摘要 | 一种封装的RF功率器件包括：晶体管，其具有控制端子和输出端子并且被配置成以基本工作频率进行工作；RF信号输入引线，其耦合到控制端子；以及RF信号输出引线，其耦合到输出端子。谐波降低器耦合到该晶体管的控制端子和/或输出端子并且被配置成为基本工作频率的N次谐波频率处的信号提供从控制端子和/或输出端子到地的短路或低阻抗路径，其中N＞1。该器件还包括容纳晶体管和谐波降低器的封装，其中输入引线和输出引线从该封装延伸。还公开了多芯片封装。 | ||
| 申请公布号 | CN101785110A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200880103997.6 | 申请日期 | 2008.05.28 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | D·法雷尔;S·伍德 |
| 分类号 | H01L23/66(2006.01)I;H03F1/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;李家麟 |
| 主权项 | 一种封装的RF功率器件，包括：晶体管，其包括控制端子和输出端子并且被配置成以基本工作频率进行工作；RF信号输入引线，其耦合到该晶体管的控制端子；RF信号输出引线，其耦合到该晶体管的输出端子；谐波降低器，其耦合到该晶体管的控制端子和/或输出端子并且被配置成为基本工作频率的谐波频率处的信号提供从控制端子和/或输出端子到地的短路或低阻抗路径；以及封装，其容纳所述晶体管和谐波降低器，并且所述RF信号输入引线和所述RF信号输出引线从该封装延伸。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||