| 发明名称 | 使用薄的、高速液体层处理晶片表面的方法 | ||
| 摘要 | 一种处理衬底的方法，包括：在所述衬底的表面产生液体层，所述液体层限定出液体弯月面，所述产生包括移动所述头部以接近所述衬底表面，所述移动在所述衬底和所述头部的表面之间限定间隙；当所述头部接近所述衬底的所述表面时从所述头部给所述表面提供液体以限定所述液体层；和用真空通过所述接近头部从所述表面去除所述液体，所述真空根据所述衬底的所述表面和所述头部的所述表面之间的间隙的液体流动速度来调节，所述真空的所述调节确保所述液体弯月面可控制地被保持在所述头部的所述表面和所述衬底的所述表面之间；其中，所述液体沿着在所述头部的所述表面和所述衬底的所述表面之间的所述液体层以当头部更接近所述表面时增加的速度流动，其中，当所述速度增加时所述真空增加，当所述速度减小时所述真空减小。 | ||
| 申请公布号 | CN101783285A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN201010119755.5 | 申请日期 | 2005.04.01 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | M·拉金;M·G·R·史密斯;J·M·德拉里奥斯;F·雷德克;M·科罗里克;C·迪皮伊特罗 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杨松龄 |
| 主权项 | 一种处理衬底的方法，包括：在所述衬底的表面产生液体层，所述液体层限定出液体弯月面，所述产生包括移动所述头部以接近所述衬底表面，所述移动在所述衬底和所述头部的表面之间限定间隙；当所述头部接近所述衬底的所述表面时从所述头部给所述表面提供液体以限定所述液体层；和用真空通过所述接近头部从所述表面去除所述液体，所述真空根据所述衬底的所述表面和所述头部的所述表面之间的间隙的液体流动速度来调节，所述真空的所述调节确保所述液体弯月面可控制地被保持在所述头部的所述表面和所述衬底的所述表面之间；其中，所述液体沿着在所述头部的所述表面和所述衬底的所述表面之间的所述液体层以当头部更接近所述表面时增加的速度流动，其中，当所述速度增加时所述真空增加，当所述速度减小时所述真空减小。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||