| 发明名称 | 具有连续接触蚀刻停止层的金属氧化物半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构，包括一基板，一栅极堆栈于该基板上，一源极/漏极区域邻近该栅极堆栈，一源极/漏极硅化物区域于该源极/漏极区域上，一保护层于该源极/漏极硅化物区域上，其中位于该栅极堆栈上的一区域大致上无该保护层，以及一接触蚀刻停止层具一应力于该保护层上，且延伸于该栅极堆栈上。 | ||
| 申请公布号 | CN101165917B | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200710102170.0 | 申请日期 | 2007.04.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 姚亮吉;王祥保;林焕哲;徐鹏富;金鹰;陶宏远 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郭晓东 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一基板；一栅极堆栈于该基板上；一源极/漏极区域邻近该栅极堆栈；一源极/漏极硅化物区域于该一源极/漏极区域上；一保护层于该源极/漏极硅化物区域上，其中位于该栅极堆栈顶部无该保护层；以及一接触蚀刻停止层于该保护层上，该接触蚀刻停止层包括一源极部分及一漏极部分，且该源极部分及该漏极部分彼此间不连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||