资料储存结构、记忆装置以及该记忆装置的制造工艺

摘要

本发明是有关于一种资料储存结构、记忆装置以及该记忆装置的制造工艺。该记忆装置，包括基底、在基底上的资料储存结构、在资料储存结构上的控制栅极以及在资料储存结构与控制栅极之间的介电层，其中各资料储存结构包括下部与窄于下部的上部。亦叙述一种记忆装置的制造工艺，其中形成资料储存结构的步骤包括使资料储存层的多个部分凹陷，以形成每一资料储存结构的上部，接着分离资料储存层的凹陷部分，以形成每一资料储存结构的下部。

主权项

一种记忆装置，其特征在于其包括：一基底；多个资料储存结构，配置于该基底上，各该些资料储存结构包括一下部与一窄于该下部的上部，该下部的中心对准于该上部的中心；多个控制栅极，配置于该些资料储存结构上；以及一介电层，配置于该些资料储存结构与该些控制栅极之间。