发明名称 |
有机金属化合物、方法及使用方法 |
摘要 |
本发明涉及有机金属化合物、方法及使用方法。本发明涉及具有式(L1)M(L2)y的有机金属化合物,其中M是金属或准金属,L1是取代或未取代的阴离子6电子给体配体,L2是相同或不同的,并且是(i)取代或未取代的阴离子2电子给体配体,(ii)取代或未取代的阴离子4电子给体配体,(iii)取代或未取代的中性2电子给体配体,或(iv)具有中性2电子给体侧基部分的取代或未取代的阴离子4电子给体配体;并且y是1-3的整数;并且其中M的氧化数与L1和L2的电荷数的加和等于0;制备有机金属化合物的方法,以及由有机金属化合物产生膜或涂层的方法。所述有机金属化合物可作为膜沉积的化学蒸气或原子层沉积前体而用于半导体应用中。 |
申请公布号 |
CN101781336A |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
CN200910009934.0 |
申请日期 |
2009.01.24 |
申请人 |
普莱克斯技术有限公司 |
发明人 |
D·M·汤普森;J·吉尔里;A·R·拉瓦;J·E·多明格斯 |
分类号 |
C07F15/00(2006.01)I;C07F15/02(2006.01)I;C07F17/02(2006.01)I;C23C16/18(2006.01)I;B22F9/30(2006.01)I |
主分类号 |
C07F15/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
刘健;韦欣华 |
主权项 |
式(L1)M(L2)y代表的化合物,其中M是金属或准金属,L1是取代或未取代的阴离子6电子给体配体,L2是相同或不同的,并且是(i)取代或未取代的阴离子2电子给体配体,(ii)取代或未取代的阴离子4电子给体配体,(iii)取代或未取代的中性2电子给体配体,或(iv)具有中性2电子给体侧基部分的取代或未取代的阴离子4电子给体配体;并且y是1-3的整数;并且其中M的氧化数与L1和L2的电荷数的加和等于0。 |
地址 |
美国康涅狄格州 |