发明名称 |
真空反应室及其处理方法 |
摘要 |
一种真空反应室包括第一电极、第二电极、腔体,以及由上述部件构成的腔室,在腔室中具有由单频或多频射频源所激发的等离子体,在腔室的腔体和第一电极之间设置至少一个由介电材料制成的空心环,该空心环内设有可容纳液体的环形槽。该装置可有效地改变第一电极与接地腔体之间的等效介电常数,使其成为改善真空反应室处理后的边缘效应的措施之一。 |
申请公布号 |
CN1909760B |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
CN200510028573.6 |
申请日期 |
2005.08.05 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
夏耀民 |
分类号 |
H05H1/46(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/46(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
一种真空反应室,包括上电极、下电极、腔体,以及由所述上电极、下电极和腔体侧壁构成的腔室,在腔室中具有由单频或多频射频源所激发的等离子体,其特征在于:在腔室的腔体侧壁和上电极之间设置至少一个由介电材料制成的调节元件,用于调整腔体和上电极之间的等效介电常数。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |