发明名称 |
一种MEMS微桥结构的制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种MEMS微桥结构的制备方法,包括以下步骤:a.在衬底的表面区域制作反射层;b.在反射层的表面区域制作牺牲层,并在牺牲层上刻蚀出支撑孔;c.在牺牲层的表面区域依次制作支撑层、敏感层和介质层;d.实现支撑孔内和桥面区域的图形化,形成接触孔;e.接着在介质层表面区域沉积金属电极层和金属铜,并对铜金属进行平坦化,止于介质层;f.除去牺牲层,释放形成最后的微桥结构。该制备方法利用铜柱取代传统的铝柱,利用铜化学机械抛光的方法实现金属电极的自对准图形化,不但实现微桥结构的平坦化,而且该方法有效地降低连线电阻,同时也降低工艺复杂性。 |
申请公布号 |
CN101780944A |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
CN201010022430.5 |
申请日期 |
2010.01.05 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司 |
发明人 |
康晓旭;姜利军;蒋宾;赵宇航;池积光;钱良山;庞惠民 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
一种MEMs微桥结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a.在衬底的表面区域制作反射层;b.在反射层的表面区域制作牺牲层,并在牺牲层上刻蚀出支撑孔;c.在牺牲层的表面区域依次制作支撑层、敏感层和介质层;d.实现支撑孔内和桥面区域的图形化,形成接触孔;e.接着在介质层表面区域沉积金属电极层和金属铜,并对铜金属进行平坦化,止于介质层;f.除去牺牲层,释放形成最后的微桥结构。 |
地址 |
201210 上海市张江高斯路497号 |