发明名称 一种MEMS微桥结构的制备方法
摘要 本发明提供了一种MEMS微桥结构的制备方法,包括以下步骤:a.在衬底的表面区域制作反射层;b.在反射层的表面区域制作牺牲层,并在牺牲层上刻蚀出支撑孔;c.在牺牲层的表面区域依次制作支撑层、敏感层和介质层;d.实现支撑孔内和桥面区域的图形化,形成接触孔;e.接着在介质层表面区域沉积金属电极层和金属铜,并对铜金属进行平坦化,止于介质层;f.除去牺牲层,释放形成最后的微桥结构。该制备方法利用铜柱取代传统的铝柱,利用铜化学机械抛光的方法实现金属电极的自对准图形化,不但实现微桥结构的平坦化,而且该方法有效地降低连线电阻,同时也降低工艺复杂性。
申请公布号 CN101780944A 申请公布日期 2010.07.21
申请号 CN201010022430.5 申请日期 2010.01.05
申请人 上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司 发明人 康晓旭;姜利军;蒋宾;赵宇航;池积光;钱良山;庞惠民
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 王洁
主权项 一种MEMs微桥结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a.在衬底的表面区域制作反射层;b.在反射层的表面区域制作牺牲层,并在牺牲层上刻蚀出支撑孔;c.在牺牲层的表面区域依次制作支撑层、敏感层和介质层;d.实现支撑孔内和桥面区域的图形化,形成接触孔;e.接着在介质层表面区域沉积金属电极层和金属铜,并对铜金属进行平坦化,止于介质层;f.除去牺牲层,释放形成最后的微桥结构。
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