| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法、以及具有该半导体器件的电子设备 | ||
| 摘要 | 在包括氧化物半导体的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层与栅绝缘层之间形成了电导率高于氧化物半导体层的氧化物簇状物，藉此能提高薄膜晶体管的场效应迁移率，且能抑制截止电流的增大。 | ||
| 申请公布号 | CN101783368A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200910262558.6 | 申请日期 | 2009.12.25 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;坂田淳一郎 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅电极层；在所述栅电极层上的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的多个氧化物簇状物；在所述栅绝缘层和所述多个氧化物簇状物上的氧化物半导体层；以及在所述氧化物半导体层上的源和漏电极层，其中所述多个氧化物簇状物具有导电性，其中所述氧化物半导体层和所述源电极层相互电连接，以及其中所述氧化物半导体层和所述漏电极层相互电连接。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||