| 发明名称 | 一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器 | ||
| 摘要 | 本发明属于存储技术领域，尤其涉及一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器，其包括SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)、设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)上的TiO2薄膜(2)、设于TiO2薄膜(2)上的金属电极(3)及设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)下的另一金属电极(4)。本发明具有存储密度高、稳定性好、结构简单等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101339973B | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200810030061.7 | 申请日期 | 2008.08.07 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 吴曙翔;李树玮 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 禹小明 |
| 主权项 | 一种反向偏压诱导的双稳态非易失性存储器，其特征在于包括SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)、设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)上的TiO2薄膜(2)、设于TiO2薄膜(2)上的金属电极(3)及设于SrTi0.99Nb0.01O3半导体(1)下的另一金属电极(4)。 | ||
| 地址 | 510275 广东省广州市新港西路135号 | ||