发明名称 生产高纯度α-三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的搅拌反应研磨处理方法
摘要 本发明涉及生产高纯度α-三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的搅拌反应研磨处理方法,可有效解决对压电晶体精微加工用高纯度α-三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的生产,解决市场需要问题,其解决的技术方案是,将α-三氧化二铝或碳化硅粉料同水及活性剂分别加入混合器中,混合搅拌反应研磨,α-三氧化二铝或碳化硅粉料和水的重量比为1∶5,活性剂加入量为α-三氧化二铝或碳化硅及水重量和的0.03%,在混合搅拌反应研磨的同时,再加入α-三氧化二铝或碳化硅、水和活性剂重量和0.03%的活性剂,使物料充分搅拌反应研磨后,再经溢流分级,收集,本发明处理方法简单,独特,生产成本低,易操作,加工生产的产品纯度高、质量好,经济和社会效益巨大。
申请公布号 CN101530913B 申请公布日期 2010.07.21
申请号 CN200910064644.6 申请日期 2009.04.14
申请人 蔡育成 发明人 蔡育成
分类号 B22F1/00(2006.01)I 主分类号 B22F1/00(2006.01)I
代理机构 郑州天阳专利事务所(普通合伙) 41113 代理人 聂孟民
主权项 一种生产高纯度α-三氧化二铝、碳化硅微米、纳米级粉体材料的搅拌反应研磨处理方法,其特征在于,将α-三氧化二铝或碳化硅粉料和水及表面活性剂分别同时加入搅拌反应容器内,搅拌反应研磨,其加入量以重量比计为:α-三氧化二铝或碳化硅∶水=1∶5,表面活性剂加入量为α-三氧化二铝或碳化硅和水重量和的0.03%,水加入搅拌反应容器内的速度为10L-1200L/h,搅拌研磨反应速度为25-100转/min,在上述搅拌反应研磨过程中,再同时加入α-三氧化二铝或碳化硅、水和表面活性剂重量和0.03%的表面活性剂,搅拌反应研磨温度为18-30℃,时间为3-4小时,然后搅拌反应研磨液经溢流分级,收集。
地址 450065 河南省郑州市高新开发区药厂街