| 发明名称 | 包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。 | ||
| 申请公布号 | CN1734714B | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200510091162.1 | 申请日期 | 2005.08.09 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/447(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 一种结晶方法，用于使非晶或多晶半导体膜结晶，其特征在于包括：通过以对准标记的形状利用第一激光照射的加热在该非晶或多晶半导体膜上的预定位置形成作为该对准标记的热变质区域；和利用以该对准标记为基础的对准，其中通过具有周期光强分布的第二激光照射经由覆盖膜来加热并熔化该非晶或多晶半导体膜以产生其中温度从低温部分到高温部分逐渐变化的温度梯度部分，并且当停止该激光束的照射时，光强最小的部分的温度下降到低于熔点以开始再结晶，由此从温度梯度部分的低温部分逐渐地在横向方向上使非晶或多晶半导体膜结晶，从而在该非晶或多晶半导体膜中形成具有大晶粒尺寸的再结晶区域。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||