| 发明名称 | 形成隔离结构的方法和相应的器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造半导体衬底的方法，包括提供具有正面和背面半导体衬底，在半导体衬底正面形成第一电路和第二电路，把半导体衬底正面键合到承载衬底，减薄半导体衬底的背面，并形成从半导体衬底背面到正面的沟槽从而把第一电路和第二电路隔离开。 | ||
| 申请公布号 | CN101783314A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200910146985.8 | 申请日期 | 2009.06.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王俊智;许慈轩 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永;马铁良 |
| 主权项 | 一种制造半导体衬底的方法，包括：提供具有正面和背面半导体衬底；在半导体衬底的正面形成第一电路和第二电路；把半导体衬底的正面键合到承载衬底；从背面减薄半导体衬底；并形成从半导体衬底背面到正面的沟槽，从而将第一电路和第二电路隔离开。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||