| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体开关 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种互补金属氧化物半导体开关，包括：第一热阱P型管，所述第一热阱P型管的N阱与源极连接；第二热阱P型管，所述第二热阱P型管的N阱与源极连接，且所述第二热阱P型管的漏极与所述第一热阱P型管的漏极连接；以及N型管，所述N型管的源极与所述第一热阱P型管的源极连接，且所述N型管的漏极与所述第二热阱P型管的源极连接。在该CMOS开关断开时，由于引入了与电压降方向形成反向的PN结二极管，在该PN结二极管的N极接高电平时，该PN结二极管反向截止，从而提高了开关断开时的隔离性。因此在带有级联反馈系统的电路结构中，在开关断开时，能够很好的保持反馈信号点的电平，降低信号失真。 | ||
| 申请公布号 | CN101783667A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200910077150.1 | 申请日期 | 2009.01.16 |
| 申请人 | 北京理工大学 | 发明人 | 陈越洋;王兴华;仲顺安;赵显利 |
| 分类号 | H03K17/687(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/687(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种互补金属氧化物半导体开关，其特征在于，包括：第一热阱P型管，所述第一热阱P型管的N阱与源极连接；第二热阱P型管，所述第二热阱P型管的N阱与源极连接，且所述第二热阱P型管的漏极与所述第一热阱P型管的漏极连接；以及N型管，所述N型管的源极与所述第一热阱P型管的源极连接，且所述N型管的漏极与所述第二热阱P型管的源极连接。 | ||
| 地址 | 100081 北京市海淀区中关村南大街5号 | ||