| 发明名称 | 一种基于三五族元素的纳米线MOS晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种纳米线MOS晶体管及其制备方法。该纳米线MOS晶体管使用金属镍作为III-V族半导体纳米线的源漏扩散材料，利用高温下镍的扩散机理，使金属镍扩散到III-V族材料中，形成低电阻的Ni-III-V形式的合金，作为III-V半导体纳米线MOS管的源漏材料，从而实现源漏材料与沟道材料的欧姆接触。本发明所公开的MOS晶体管具有结构简单、制造方便、接触电阻小、并且能够有效减小寄生电容的产生并使MOS晶体管的关断电流有效减小等优点。同时，本发明还公开了所述纳米线MOS晶体管的制备方法，该方法可以有效控制MOS晶体管的沟道长度，从而使得半导体器件有更大的工作电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101783367A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN201010111275.4 | 申请日期 | 2010.02.11 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 刘晗;顾晶晶;王鹏飞;张卫 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种纳米线MOS晶体管，其特征在于，以Nix-III-V形式的合金作为以III-V族半导体纳米线为沟道材料的纳米线MOS晶体管的源极和漏极，实现源漏材料与沟道材料欧姆接触。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||