| 发明名称 | 使用硬掩膜金属绝缘体金属电容器的形成 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造金属绝缘体金属(MIM)电容器的方法。在此方法中，在下导体层(100)上形成介质层(102，106)并且在介质层上形成上导体层(104，108)。然后，本发明在上导体层和介质层上形成蚀刻停止层(200)并且在蚀刻停止层上形成硬掩膜(202)(氧化硅硬掩膜，氮化硅硬掩膜等)。下一步，在硬掩膜上构图光致抗蚀剂(300)，其允许通过光致抗蚀剂蚀刻硬掩膜，蚀刻停止层，介质层和下导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1954263B | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200580015358.0 | 申请日期 | 2005.05.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·D·库尔鲍;E·E·叶舒恩;N·费尔舍费尔德;M·L·高奇;何忠祥;M·D·穆恩;V·拉马切恩兰;B·沃特豪斯 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 一种金属绝缘体金属电容器结构，包括：下导体层，其中所述下导体层包括至少一个下电容器极板和至少一个布线图形；至少一个电容器介质，在所述下电容器极板上；至少一个上电容器极板，在所述电容器介质上；以及硬掩膜，在所述上电容器极板上；其中在所述布线图形中的布线之间的间距为在所述下电容器极板的底部上的所述上电容器极板的高度的三分之一。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||