发明名称 |
分布反馈注入放大半导体激光器 |
摘要 |
本发明公开了一种分布反馈注入放大半导体激光器,由主激光器、第一光隔离器、锥形激光放大器、第二光隔离器、微弱光探测激光功率稳定系统和激光整形系统六个部分组成,主激光器采用分布反馈半导体激光管,准直后的激光束经过第一光隔离器后注入锥形激光放大芯片,放大激光通过第二光隔离器后采用光束分离技术,光电探测器探测放大激光的功率波动,其误差信号通过反馈电路送入锥形激光放大器的电流控制接口,通过负反馈机制提高放大后输出激光的功率稳定性,光通过激光整形系统后输出准直的高斯光束。本发明结构紧凑,方便调节,激光线宽窄,功率高,稳定性好,实用性强。 |
申请公布号 |
CN101237121B |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
CN200810046664.6 |
申请日期 |
2008.01.10 |
申请人 |
中国科学院武汉物理与数学研究所 |
发明人 |
李润兵;陈立;熊宗元;王谨;詹明生 |
分类号 |
H01S5/00(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I;H01S5/026(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/00(2006.01)I |
代理机构 |
武汉宇晨专利事务所 42001 |
代理人 |
王敏锋 |
主权项 |
一种分布反馈注入放大半导体激光器,它包括主激光器(A)、第一光隔离器(B)、锥形激光放大器(C)、第二光隔离器(D)、微弱光探测激光功率稳定系统(E)和激光整形系统(F),其特征是主激光器(A)采用分布反馈半导体激光器,主激光器调整座(5)和主激光器准直透镜调整座(8)与主激光器底座(4)相连,分布反馈半导体激光管(7)与热电致冷封装模块(6)相连后固定在主激光器调整座(5)上,主激光器准直透镜(9)和主激光器准直透镜调整座(8)相连;锥形放大激光器(C)采用锥形激光放大芯片(21),锥形激光放大器底座(14)与热电致冷块(16)相连,锥形激光放大器输入端聚焦透镜调整座(19)、锥形激光放大器输出端准直透镜调整座(23)和锥形激光放大器底座(14)与热电致冷块(16)相连,锥形激光放大芯片(21)和热敏电阻(17)与锥形激光放大器底座(14)相连,锥形激光放大器输入端聚焦透镜(20)与锥形激光放大器输入端聚焦透镜调整座(19)相连,锥形激光放大器输出端准直透镜(22)与锥形激光放大器输出端准直透镜调整座(23)相连,锥形激光放大芯片(21)的电极通过陶瓷电极(40)与电流温度控制端口(3)相连;微弱光探测激光功率稳定系统(E)采用分束镜(38)和光电探测器(39);主激光器(A)的输出激光经过第一光隔离器(B)后注入锥形激光放大器(C),放大激光经过光第二隔离器(D)后再经过微弱光探测激光功率稳定系统(E)反馈到锥形激光放大器(C)的电流温度控制电路(1),光经过激光整形系统(F)后输出准直高斯光束。 |
地址 |
430071 湖北省武汉市武昌小洪山 |