发明名称 |
压力传感器 |
摘要 |
本发明提供一种高灵敏度、高耐压的压力传感器,在由半导体制成的芯片(10)的一部分上形成膜片(11),对膜片(11)的随着压力所产生的位移进行电变换来检测该压力,通过使膜片(11)具有大于等于以下大小的纵横比,可以得到高灵敏度且高耐压的压力传感器,在该大小下,传感器(1)的容许耐压特性曲线的微分值大致为零,该容许耐压特性曲线是将膜片(11)的一边长度除以该膜片(11)的厚度所得到的纵横比作为横轴、将压力传感器(1)的容许耐压作为纵轴而规定的。 |
申请公布号 |
CN101256101B |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
CN200810006320.2 |
申请日期 |
2008.02.26 |
申请人 |
株式会社山武 |
发明人 |
东條博史;米田雅之;德田智久 |
分类号 |
G01L1/18(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;G01L13/06(2006.01)I |
主分类号 |
G01L1/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
雒运朴;李伟 |
主权项 |
一种压力传感器,在由半导体制成的芯片的一部分上形成膜片,对随着作用在上述膜片上的压力所产生的位移进行电变换,来检测该压力,其特征在于,上述膜片具有大于等于以下大小的纵横比,在该大小下,上述压力传感器的容许耐压特性曲线的微分值大致为零,该容许耐压特性曲线是通过将上述膜片的一边长度除以该膜片的厚度而得到的纵横比作为横轴、将上述压力传感器的容许耐压作为纵轴而规定的。 |
地址 |
日本东京都 |