发明名称 减小功耗的MOSFET栅极驱动器
摘要 一种用于例如DC/DC变换器中功率MOSFET的栅极驱动器,其在完全接通条件与低电流条件之间切换MOSFET,而不是在MOSFET完全接通条件与完全关断条件之间切换MOSFET。由此减少了对MOSFET的栅极充电和放电所必须转移的电荷量,并且提高了MOSFET的效率。可以使用反馈电路来保证处于低电流条件下的功率MOSFET中的电流的量值是正确的。可替代地,可以使用微调处理来校正栅极驱动器供应给处于低电流条件下的功率MOSFET的栅极的电压的量值。
申请公布号 CN101785187A 申请公布日期 2010.07.21
申请号 CN200880025666.5 申请日期 2008.04.30
申请人 先进模拟科技公司 发明人 理查德·K·威廉斯
分类号 H03K17/687(2006.01)I;H02M1/08(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 吕晓章
主权项 一种包含栅极驱动器和功率MOSFET的组合体,所述栅极驱动器的输出端与所述功率MOSFET的栅极端连接,所述栅极驱动器进一步包含:第一输入端和第二输入端,所述第一输入端与第一电压源连接,所述第二输入端与第二电压源连接;切换元件,在所述第一输入端和所述第二输入端之间切换所述输出端;其中,在所述第一电压源提供的第一电压被传递给所述栅极端时,促使所述功率MOSFET处于完全接通条件,以及在所述第二电压源提供的第二电压被传递给所述栅极端时,促使所述功率MOSFET处于低电流条件。
地址 美国加利福尼亚州