| 发明名称 | 碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法。该SiC衬底(10)包括如下步骤：制备具有主表面并且由SiC制成的基体衬底；使用第一碱性溶液清洗主表面；以及在利用第一碱性溶液进行清洗的步骤之后，使用第二碱性溶液清洗主表面。SiC衬底具有主表面(11)，并且主表面(11)上的残留物的平均数等于或大于0.2并且小于200。 | ||
| 申请公布号 | CN101783284A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN201010002025.7 | 申请日期 | 2010.01.07 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 佐佐木信;原田真 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种碳化硅衬底(10)，所述碳化硅衬底(10)包括主表面(11)和在所述主表面(11)上的残留物，其中，所述主表面(11)被使用第一碱性溶液清洗；以及在使用所述第一碱性溶液清洗所述主表面(11)之后，所述主表面(11)被使用第二碱性溶液清洗，使用所述第二碱性溶液清洗的所述主表面(11)上的所述残留物的平均数等于或大于0.2并且小于200。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||