发明名称 |
转印方法、用于转印的光掩膜及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制造光掩膜的方法,预先准备多种类型的备选边框图形数据,边框图形数据对应于光掩膜的边框区域,每个类型的边框图形数据具有预设的图形负荷,并包括如下步骤:获取对应于光掩膜主图形区域的图形数据的图形负荷;选择图形负荷与所获取的主图形负荷最接近的备选边框图形数据;将边框图形数据与主图形数据组合,生成曝光文件;将所述曝光文件曝光于光掩膜空白基板上,对基板的光刻胶显影,并对基板遮光层蚀刻以及去除光刻胶,得到光掩膜。本发明还公开了一种光掩膜以及一种转印方法。本发明可以改善光掩膜的边框区域与主图形区域的图形负荷差异对光掩膜的关键尺度造成的影响。 |
申请公布号 |
CN101782718A |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
CN200910137622.8 |
申请日期 |
2009.04.27 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
田明静 |
分类号 |
G03F1/14(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
谢安昆;宋志强 |
主权项 |
一种制造光掩膜的方法,所述光掩膜用于将光掩膜上的主图形区域的图形转印到晶圆上,其特征在于,预先准备多种类型的备选边框图形数据,边框图形数据对应于光掩膜的边框区域,每个类型的边框图形数据具有预设的图形负荷,并包括如下步骤:获取对应于光掩膜主图形区域的图形数据的图形负荷;选择图形负荷与所获取的主图形负荷最接近的备选边框图形数据;将边框图形数据与主图形数据组合,生成曝光文件;将所述曝光文件曝光于光掩膜空白基板上,对基板的光刻胶显影,并对基板遮光层蚀刻以及去除光刻胶,得到光掩膜。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |