发明名称 |
LDMOS保护电路 |
摘要 |
本实用新型是一种LDMOS保护电路,所述电路包括LDMOS放大电路、栅压偏置电路、漏压取样比较电路和直流电源。栅压偏置电路用于调整设定LDMOS的栅极电压,此电路还具有栅压温度自动补偿功能,使LDMOS在工作温度范围内的静态电流恒定。漏压取样比较电路用来取样LDMOS的漏极电压,并与LDMOS所需要的最低工作漏极电压进行比较后产生一个高低电平控制栅压偏置电路是否输出到LDMOS的栅极,从而避免LDMOS工作在低漏压时不稳定的状态,从而起到保护LDMOS的作用。直流电源为其它三个部分提供直流源。本实用新型有益的效果:该电路能有效可靠保护LDMOS,且具有简单、成本低、易实现等特点。 |
申请公布号 |
CN201533285U |
申请公布日期 |
2010.07.21 |
申请号 |
CN200920201133.X |
申请日期 |
2009.11.26 |
申请人 |
三维通信股份有限公司 |
发明人 |
吴志坚;赖敏福 |
分类号 |
H03F1/52(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/52(2006.01)I |
代理机构 |
杭州九洲专利事务所有限公司 33101 |
代理人 |
陈继亮 |
主权项 |
一种LDMOS保护电路,其特征在于:包括LDMOS放大电路、栅压偏置电路、漏压取样比较电路和直流电源,栅压偏置电路用于调整设定LDMOS的栅极电压,使LDMOS在工作温度范围内的静态电流恒定;漏压取样比较电路用来取样LDMOS的漏极电压,并与LDMOS所需要的最低工作漏极电压进行比较后产生一个高低电平控制栅压偏置电路是否输出到LDMOS的栅极,直流电源为LDMOS放大电路、栅压偏置电路、漏压取样比较电路三个部分提供直流源。 |
地址 |
310053 浙江省杭州市滨江区火炬大道581号三维大厦(高新) |