高频耦合器或高频功率分配器，尤其是窄带和/或3分贝耦合器或功率分配器

摘要

本发明涉及一种改进的耦合器或功率分配器；尤其是高频耦合器或高频功率分配器，具有以下特征：4个连接线(13a，13b；17a，17b)设置在基片(3)的同一侧(3a)上，两个耦合段(9；25)设置在基片的两个相对的侧面(3a，3b)上，第二个耦合段(25)通过两个穿孔连接(21)与相应的连接线(17a，17b)电路连接，这些连接线位于基片(3)的背对耦合段(25)的侧面(3a)上，在相应耦合段(9，25)的起始端(11a；18a)及相应末端(11b；18b)上的电容器(C-9a，C-9b，C-9c，C-9d；C-25a，C-25b，C-25c，C-25d)分别被构造成交叉指型电容器，并且电容(C-9a，C-9b，C-9c，C-9d；C-25a，C-25b，C-25c，C-25d)分别与地耦合。

主权项

一种高频耦合器，具有以下特征：-一个基片(3)，-在基片(3)上有两个第一连接线(13a，13b)，它们引至第一耦合段(9)的起始端(11a)和末端(11b)，一设置了一个与第一耦合段(9)相耦合的第二耦合段(25)，另外的两个连接线(17a，17b)引至其起始端(27a)和末端(27b)，-这4个连接线(13a，13b；17a，17b)从相应的耦合段出发引至相互错开设置的连接端(15a，15b；19a，19b)，-这4个连接线(13a，13b；17a，17b)设置在基片(3)的同一侧(3a)上，以及-这两个耦合段(9；25)被构造在基片的两个相对的侧面(3a，3b)上，-两个连接线(13a，13b)与第一耦合段(9)电路连接，并且被设置在第一耦合段(9)所在的基片(3)的相同侧面上，-第二耦合段(25)在其起始端和末端(27a，27b)处分别通过至少一个穿孔连接(21)与相应的其它连接线(17a，17b)电路连接，这些连接线位于基片(3)的背对第二耦合段(25)的侧面(3a)上，其特征在于以下的其它特征：-在第二耦合段(25)的耦合区下方具有一个位于外壳壁(29)内的凹槽(37)，-在两个耦合段(9；25)的纵向方向上设置了交叉指型电容器(C)，它们分别耦合在耦合段(9，25)与地(5；31)之间。