发明名称 电子元件封装体及其制作方法
摘要 本发明提供一种电子元件封装体及其制作方法,包括:提供一晶圆,包含多个晶粒区,以承载或形成多个晶片,所述晶片上或上方包括多个导电电极;提供一光罩并实施一光刻制程以形成一图案化光致抗蚀剂层于晶圆上,图案化光致抗蚀剂层包括多个开口,其中所述开口对应光罩的图案,该图案包括一相对较宽的第一构图,该第一构图并连结至少一个相对较窄的第二构图;以图案化光致抗蚀剂层为罩幕,对晶圆进行蚀刻,形成多个孔洞以露出所述导电电极,其中所述孔洞具有非对称性的侧壁;及移除图案化光致抗蚀剂层。本发明可通过一次性的连续蚀刻步骤,制作具有非对称性侧壁的孔洞,进而缩短制作流程及降低制作成本。
申请公布号 CN101355043B 申请公布日期 2010.07.21
申请号 CN200810108634.3 申请日期 2008.05.30
申请人 精材科技股份有限公司 发明人 徐长生;杨铭堃;黄旺根;赖志隆;钱文正
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种电子元件封装体的制作方法,其特征在于,包括:提供一晶圆,包含多个晶粒区,以承载或形成多个晶片,该晶圆具有一第一表面及相对的一第二表面,其中该第一表面上或上方包括多个导电电极;提供一光罩并实施一光刻制程以形成一图案化光致抗蚀剂层于该晶圆的第二表面上,该图案化光致抗蚀剂层包括多个开口,其中所述开口对应该光罩的图案,该图案包括一相对较宽的第一构图,该第一构图连结至少一个相对较窄的第二构图;以该图案化光致抗蚀剂层为罩幕,对该晶圆进行蚀刻,形成多个孔洞以露出所述导电电极,其中所述孔洞具有非对称性的侧壁;及移除该图案化光致抗蚀剂层。
地址 中国台湾桃园县