| 发明名称 | 一种半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构。一第一高压N阱区埋藏于一基底中。一P型埋藏层水平邻接第一高压N阱区。一第二高压N阱区位于第一高压N阱区上。一高压P阱区位于P型埋藏层上方。一绝缘区位于第二高压N阱区的顶部表面。一栅极电介质从高压P阱区上方延伸至第二高压N阱区上方，其中部分的栅极电介质是位于绝缘区上方。一栅电极位于栅极电介质上。 | ||
| 申请公布号 | CN101299438B | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200710149604.2 | 申请日期 | 2007.09.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄郁惠;李定邦;陈富信 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一基底；一第一高压N阱区，埋藏于该基底中；一P型埋藏层，水平邻接该第一高压N阱区；一第二高压N阱区，位于该第一高压N阱区上；一高压P阱区，位于该P型埋藏层上方；一绝缘区，位于该第二高压N阱区的顶部表面；一栅极电介质，从该高压P阱区上方延伸至该第二高压N阱区上方，其中部分的栅极电介质是位于该绝缘区上方；及一栅电极，位于该栅极电介质上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||